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朱慧珑

时间:2011-08-07 10:37:20 来源: 作者:中国留学人才发展基金会

 
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  朱慧珑, 中国科学院微电子研究所研究员。1988年在北京师范大学获得理论物理专业博士学位。曾任IBM Corporation顾问工程师。朱慧珑研究员是用分子动力学(Molecular Dynamics Simulations)研究纳米粒子烧结过程的先驱之一; 以第一作者第一次发现了纳米粒子超快速烧结(几十微微秒)的现象并给出了理论解释,论文得到大量引有。这一理论是世界上公认的纳米粒子烧结机制。作为唯一作者,系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。已第一发明者拥有多项国际专利并已广泛应用于芯片制造业。作为项目负责人,曾领导过多个研发项目:双应力薄膜技术、应力记忆技术、MOSFET的间隔模块(spacer)、eDRAM 深沟电容(DT)、130nm和90nm CMOS器件模拟软件的建模和校准、 65nm SOI技术转让、3D TSV测试设计等。曾获得IBM最佳发明家、发明大师等多项荣誉。

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