胡汉泉，真空电子技术和微波真空电子器件专家，中国电子学会会士，中国微波真空电子器件的主要开拓者之一，生于北京。

       1940年胡汉泉从交上海通大学电机系毕业后自费赴美深造。1941年获得美国密歇根大学电机系硕士学位。随后在美国斯巴登无线厂和美国RCA电子管厂任职。之后进入美国依利诺大学攻读博士学位。1949年胡汉泉回国，担任唐山铁道部铁道科学研究院通讯组研究员。

       回国后，胡汉泉利用所学知识，积极组织各研究室、制造车间努力克服基础技术发展不足的弱势和障碍，为国防建设提供了许多新的重要产品。仅在60年代，718测量船用的1006大功率速调管、154工程用的2008B同轴磁控管、6016弹载小型钛陶瓷三极管、2014 前向波放大管、154工程用的1007、1008静电聚焦速调管、3065无截获栅控行波管等，都为国防建设作出了不可磨灭的贡献。12所已经成为中国大功率微波管研制的重要基地，40多年来为国防装备的建设，提供了一系列关键大功率真空电子器件。由军品所形成的技术基础，也使12所民品得到发展，如医用加速器、微波治癌设备、低成本俄歇能谱仪、低成本回旋质谱仪等。这些成就的取得，都是与胡汉泉在真空电子器件领域里的卓越领导和开拓性工作分不开的。

       胡汉泉为我国的职业教育事业也做出了重要贡献。1980年，胡汉泉率12所代表团赴美考察微波管时注意到所访的企业都在开展继续工程教育。1983年2月他随中国电子学会继续工程教育考察团赴美考察，对美国继续工程教育的发展有了更加全面和深入的了解。1984年中国继续工程教育协会在北京成立，胡汉泉担任对外交流工作。1986年5月他参加在美国Orlando举行的第三届世界继续工程教育会议，会后他又访问了相关的继续工程教育单位。1987年4月再随中国科协代表团赴美考察继续工程教育。1988年10月由中国电子学会等6个学会组成的中国电与信息技术联合会的继续教育委员会在成都举行首次会议，来自美国工程教育学会、IEEE、IBM公司、亚利桑那大学的4位知名学者来中国交流。

       胡汉泉用毕生精力为我国科研领域的发展做出了重要贡献，他留学报国的光荣事迹值得我们学习。

（来源：《志在振兴中华》、百度）